VR力迫显存发展 GDDR6将于2018年问世

VR和游戏产业正在改变显存的制造工艺，并在促进新型显存的发展。对于用于大部分显卡的GDDR5显存来说，其下个迭代被称为GDDR6。而据三星一名主管Jin Kim在本周召开的Hot Chips conference中透露，这个显存将会在2018年问世。GDDR6将会比现在的显存更快，更节能，可达到约为14Gbps。目前GDDR5的速率为10Gbps。

尽管三星表示GDDR6会在2018年亮相，但新型显存通常都需要更长的时间才会推出市场，所以这是一个比较积极的预测。因为显卡需要为新的显存重新设计，元件需要验证和测试，所有这些都需要时间。

像VR和游戏这样的应用都需要大量的GPU计算以提供最佳的图形质量。像Oculus Rift和HTC Vive这样的头显只能通过高端显卡运行。而GDDR6将会帮助GPU实提高性能表现，并会降低功耗。

对GPU性能的需要已经在改变GPU。像HBM（High-Bandwidth Memory）和GDDR5X这样可提供更快带宽的新型显存已经应用在英伟达和AMD的新显卡上了。

配备HBM或其他新型显存的GPU的价格目前非常高。但GDDR6，正如GDDR5一样，可用于价格更低的GPU上。同时GPU从GDDR5过度到GDDR6要比从GDDR5过度到HBM容易，这是因为内存子系统的问题。

三星很明显正在押宝GDDR6，因为其竞争对手美国美光（Micron）正在支持GDDR5X。英伟达的GeForce GTX1080 GPU也在使用GDDR5X显存。另外，三星同时在支持HBM。

GPU的速率同时也在提速，这推动了对显存速率的需求。更快的显存可以帮助GPU更快的渲染图像，而图像可以通过像英伟达的NVLink或即将上市的PCI-Express 4.0这样的更高速的互联通道来传输到内存和CPU中。

制作工艺的进步也增加了对新型显存的需求。基于英伟达帕斯卡和AMD北极星架构的GPU正在使用新的技术来进行生产，其中包括FinFET工艺（鳍式场效晶体管），这是一个放置层叠芯片的3D架构。

像HBM和GDDR6这样的新型显存正是为这样的芯片架构而设计的，而GDDR5显存是根据并不使用层叠芯片的旧款GPU而设计的。