三星开始量产4GB HBM2显存芯片：每瓦特带宽翻倍

一周前，JEDEC刚刚更新了“高带宽内存”（HBM）标准，带来了更大的堆栈和更快的速度。该组织前脚刚宣布，三星就立即开始了4GB HBM2显存芯片的量产。该公司称，其采用了20nm制程，以4 x 8Gb的规格封装，可提供256GB/s的带宽。作为对比，TSV 4Gb GDDR5的带宽只有前者的1/7不到。此外，HBM2芯片的“每瓦特带宽”也是三星自家GDDR5显存的2倍以上、此外还内建了对ECC的支持。

三星还计划于今年发布8GB封装的HBM2显存，而显卡设计者们将享受到95%的空间节省（相对于GDDR5），AMD Radeon R9 Fury X的爱好者们肯定不会感到陌生。

三星将为迎合需求而提升HBM2的产量，且除了显卡市场之外，该公司还希望将之推向高性能计算、网络系统、以及服务器等领域。

[编译自：TechReport , 来源：Samsung]