三星电子今天宣布，已经开始批量投产全球第一款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的DDR4内存条，单条容量高达64GB。
这是主要面向服务器应用的RDIMM条子，上有多达36颗DDR4 DRAM内存颗粒，每一个都封装了4个4Gb(512MB) DDR4 DRAM芯片，单颗容量2GB，并采用三星先进的2xnm工艺制造，不过三星并未公布频率、电压等规格。
如此高的密度要感谢TSV技术。这是一种穿透硅晶圆或芯片的垂直互连方式，可将多个芯片堆叠起来，提升容量和性能。
三星在2010年的4xnm 8GB内存上就首次使用了TSV，2011年又完成了3xnm 32GB，现在是第一次用于DDR4。
事实上，随着半导体集成度的提高，很多地方都纷纷开始了3D堆叠，三星此前就宣布已经投产第二代3D V-NAND立体闪存，创下存储密度新高。
三星这次堆叠了四层
走线堆叠VS.硅穿孔堆叠
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2014-09-27 20:17 30楼
看而不语
2014-09-07 21:03 29楼
碉堡了，发烧友必备
2014-09-02 00:10 28楼
三星做的越来越刁了啊！我的内存条都是2个2g的！！能不能再便宜点！！
2014-08-28 08:08 27楼
期待普通用户用得上吗
2014-08-28 00:47 26楼
电脑4g已经不够了，8到16g才是主流啊
2014-08-27 23:26 25楼
三星，你那么屌，乔布斯知道么？？
2014-08-27 22:53 24楼
是时候考虑加内存了