华人胡正明获美国最高科技奖：FinFET发明人

据中新网、网易等报道，当地时间2016年5月19日，美国总统奥巴马在白宫为2015年度美国最高科技奖项获得者颁奖，包括9名国家科学奖获得者和8名国家技术和创新奖获得者。其中两张华裔面孔格外引人注意，包括80岁高龄的何南施女士（Nancy ho），出生于南京，1957年毕业于台湾大学。

她1993年制造出一种酵母，除了让木糖发酵，也可以吧果糖变成乙醇，因此能够利用稻草之类的非食用材料大量制造乙醇，帮助减少对进口石油的依赖。

另一位是胡正明教授，他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在台湾长大，后来考入加州大学伯克利分校，曾任台积电首席技术官。

胡正明教授

胡正明教授是鳍式场效晶体管（FinFET）的发明者，2010年后，Bulk CMOS工艺技术在20nm走到尽头，胡教授的FinFET和FD-SOI工艺发明得以使14nm/16nm摩尔定律在今天延续传奇。

背景资料：

美国国家技术和创新奖1980年立法设立，由美国联邦政府商务部下属专利商标局管理。一个独立委员会负责向美国总统提名获奖人，表彰那些为提供美国竞争能力、国民生活品质和劳动力技术素质作出持久贡献的人士。

美国国家科学奖是美国科学界最高荣誉，1959年设立，由美国国家科学基金会管理，由另一个独立委员会向总统提名，表彰在化学、工程、计算、数学、生物、行为和社会以及其他自然科学领域作出杰出贡献的人士。