骁龙835官方新闻稿抢跑：10nm性能提升、能耗降低

高通这次的保密工作做得有点差，骁龙835定于CES开幕之初发布，1月6日做主题宣讲，结果关键PPT已经偷跑。现在，爆料大神evleaks甚至送上了高通关于骁龙835的官方新闻稿，再次确认了规格信息。

综合指标上，骁龙835的性能比骁龙820/821提升了27%，能耗降低了40%。游戏和VR上，3D渲染速度比820快了25%，同时多支持60倍的屏幕显示色。

电池续航：

骁龙835采用10nm工艺，自主Kryo 280八核心设计，可以提供1天以上的通话时间、5天以上的音乐播放、7小时以上的4K视频，配合QC4.0充电技术，充电5分钟，使用5小时。

沉浸式AR、VR：

D渲染速度比820快了25%，同时多支持60倍的屏幕显示色。

骁龙835支持场景和物理音源，支持解码DSD原片，动作位移延迟减少20%，6角度追踪。

拍照：

通过Hexagon 690 DSP、Spectra 180 ISP和Adreno 540 GPU的配合，拍照更清晰、对焦更迅速。

软件算法方面，高通推出了电子防抖3.0、高级4K视频防抖、滚动快门校正、双镜优化等。

连接性：

X16 LTE基带可以提供1Gbps的下载速度，支持802.11ad Wi-Fi，得益于10nm，基带模块封装面积缩小了45%，能效提升60%。

另外，骁龙835页在安全性、深度学习上做了改善加强，而且它还是首颗支持Win10桌面系统的ARM处理器，相关产品今年晚些时候会亮相。