英特尔承诺10纳米领先一切对手 性能升25%功耗降45%

英特尔此前已经谈论过多次 10 纳米的 Cannon Lake 芯片了，每一次对于发布时间都有一种新的说法。今年年初的时候曾表示，公司对 10 纳米很有信心，不出意外 Cannon Lake 会出现在今年的 2 合 1 设备上。最近英特尔又发话了，声称 Cannon Lake 将是公司的黄金产品，工艺制程上远胜于激进的三星和台积电。

按照英特尔的说法，Cannon Lake 是超浓缩的产品，晶体管数量可以是上一代的两倍，而在这一优势下，将有助于 CPU 性能提升 25% 左右，并且功耗降低至少 45%。英特尔称，年底上市的 10 纳米芯片在 1 平方毫米内可以塞进 1 亿个晶体管，鳍片间距做到34nm，最小金属间距则做到 36nm。

很显然，英特尔将摩尔定律的希望寄托到了 Cannon Lake 身上，毕竟按照该定律，集成电路的晶体管数量大约每两年增加一倍。虽然摩尔定律在大多数分析看来已经死亡，而且英特尔也将芯片真正更新换代的周期调整到了 36 个月，但现在英特尔依然对该定律的前景看好。

“英特尔将延续摩尔定律。” 这是英特尔在近日 Technology and Manufacturing Day 活动上通过 PPT 所表达的态度，不过没有强调定律的内容，而是更多的谈及了经济学，声称保持在合理价格范围内，自己可以提供越来越强大的芯片。

英特尔还确认，接下来 10 纳米芯片也会分为三步走，分别是 10 纳米、10 纳米+ 和 10 纳米++，走完这三步才会进入到 7 纳米工艺制程。其中 10 纳米 + 工艺相比 10 纳米 CPU 性能再次提升 15%，且功耗再降低 30% 左右。